為進(jìn)一步活躍學(xué)術(shù)氛圍，加強(qiáng)高層次學(xué)術(shù)交流，提高師生科學(xué)研究素養(yǎng)，電子信息工程學(xué)院特邀請(qǐng)微電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)家，中國(guó)科學(xué)院劉明院士來(lái)校講座。

報(bào)告題目：集成電路技術(shù)創(chuàng)新讓生活更美好

報(bào)告時(shí)間：2019年11月18日（周一）上午 10：00

報(bào)告地點(diǎn)：河北大學(xué)七一路校區(qū)圖書(shū)館一樓報(bào)告廳

要求：

1.歡迎廣大師生前來(lái)聽(tīng)報(bào)告，請(qǐng)所有參會(huì)人員提前10分鐘入場(chǎng)完畢；

2.報(bào)告期間，請(qǐng)將手機(jī)關(guān)閉或調(diào)制靜音狀態(tài)，保持會(huì)場(chǎng)秩序。

主講人介紹：

劉明 中國(guó)科學(xué)院院士，發(fā)展中國(guó)家科學(xué)院院士，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員，長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和集成電路的微納加工等方面的研究。曾獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)3項(xiàng)、國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)1項(xiàng)、中國(guó)真空科技成就獎(jiǎng)和科學(xué)院杰出成就獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng) 。發(fā)表SCI收錄論文250多篇，SCI他引超過(guò)2800次，6篇論文入選ESI高被引論文榜，兩項(xiàng)工作列入2013年ITRS(國(guó)際半導(dǎo)體發(fā)展路線(xiàn)圖)、多項(xiàng)工作作為典型進(jìn)展被寫(xiě)入15本著作和40篇綜述中。在本領(lǐng)域重要國(guó)際會(huì)議做邀請(qǐng)報(bào)告30多次。授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利180件(含美國(guó)授權(quán)專(zhuān)利7件)，主要專(zhuān)利轉(zhuǎn)讓/許可到多家重要集成電路企業(yè)。主持參與了多項(xiàng)國(guó)家973、863項(xiàng)目。在國(guó)際上首次采用軟X射線(xiàn)曝光技術(shù)實(shí)現(xiàn)了256位分子存儲(chǔ)器;在32nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器替代方案上，提出了利用金屬摻雜的技術(shù)手段來(lái)提高阻變存儲(chǔ)器(RRAM)性能和成品率的方法，成為國(guó)際上最早提出此概念的兩個(gè)小組之一，在漸進(jìn)型的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器替代方案上，著眼于納米晶浮柵存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)(Nano-Floating Gate)。

(電子信息工程學(xué)院)